Scheme of metal oxide semiconductor field-effect transistor
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Isolierschicht-FeldeffekttransistorIsolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren. Im Unterschied zur anderen Gruppe, den Feldeffekttransistoren mit nicht isolierter Steuerelektrode wird beim IGFET der Stromfluss durch Ladungsträgerinfluenz über ein vom leitfähigen Kanal elektrisch isoliertes Gate gesteuert. .. weiterlesen
FeldeffekttransistorFeldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Defektelektronen. Sie werden bei tiefen Frequenzen – im Gegensatz zu den Bipolartransistoren – weitestgehend leistungs- bzw. verlustfrei geschaltet. Die am weitesten verbreitete Art des Feldeffekttransistors ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). .. weiterlesen
StrukturgrößeDie Strukturgröße oder auch Strukturbreite ist eine Größenangabe der Halbleitertechnik, Mikroelektronik und Nanoelektronik. Sie bezeichnet den Wert der kleinsten Struktur, die zuverlässig fotolithografisch hergestellt werden kann. Zur Bestimmung wird in der Regel das halbe Abstandsmaß einer periodischen Linienstruktur als Referenzstruktur genutzt. Daher wird sie auch als minimale Strukturgröße bezeichnet. Die Längeneinheit hat üblicherweise das Symbol F, auch f, dies ist jedoch nicht standardisiert. .. weiterlesen