Rtd seq v3

Autor/Urheber:

Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck

Attribution:

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Shortlink:

https://dewiki.de/b/272086

Quelle:

Wikimedia Commons

Größe:

453 x 362 Pixel (362671 Bytes)

Beschreibung:

A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first energy level below source fermi level with gate bias.

Kommentar zur Lizenz:

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Lizenz:

CC BY 3.0

Credit:

Tool:Resonant Tunneling Diode Simulation with NEGF simulator on www.nanoHUB.org. Link: http://nanohub.org/resources/8799

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Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Tue, 07 Sep 2021 20:06:24 GMT

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