Resonanztunneldiode
Kennlinie einer Resonanztunneldiode bei Variation des Energiezustandes
Die Resonanztunneldiodentechnik nutzt so genannte Resonanztunneldioden oder auch Interband-Tunnel-Dioden. Eine solche Diode besitzt zwei wenige Nanometer dicke Tunnelbarrieren. Für einen elektrischen Strom müssen Elektronen diese Barrieren durchtunneln. Die Wahrscheinlichkeit hierfür ist abhängig vom Niveau des quantisierten Energiezustands zwischen den Tunnelbarrieren. Hieraus folgt die Besonderheit der Tunneldioden. Sie besitzen einen negativen differenziellen Widerstand. Auf der Basis von Tunneldioden lassen sich sowohl Logikelemente als auch Speicher verwirklichen.
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Autor/Urheber: Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, Lizenz: CC BY 3.0
A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first energy level below source fermi level with gate bias.
Autor/Urheber: Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, Lizenz: CC BY 3.0
A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first energy level below source fermi level with gate bias.