Shallow trench isolation process DE
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Herstellungsprozess der Isolationsgräben in der STI-Technik (engl. shallow trench isolation) als Technologieschitte.
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GrabenisolationDie Grabenisolation ist ein Verfahren der Halbleitertechnik zur elektrischen Isolation einzelner Bauelemente auf integrierten Schaltkreisen (IC). Dazu werden zwischen den elektrisch aktiven Gebieten ca. 250 bis 700 nm tiefe Gräben erzeugt und mit einem elektrisch isolierenden Material aufgefüllt. Ein ähnlicher Prozess wird auch bei anderen Halbleiterprodukten eingesetzt, beispielsweise bei Hochleistungsbipolartransistoren oder analogen integrierten Schaltkreisen. Dabei werden Grabentiefen von ca. 5 µm eingesetzt. Zur Unterscheidung von der „flachen Grabenisolation“ wird dieser Prozess als „tiefe Grabenisolation“ bezeichnet. .. weiterlesen