Scheme of bipolar junction transistor de
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Early-EffektDer Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt in der Halbleitertechnik die Änderung der effektiven Basisweite W eines Bipolartransistors durch die Kollektor-Emitter-Spannung UCE. Die Ausdehnung der Raumladungszone der Basis-Kollektor-Diode ist somit auch von UCE abhängig: W = f(UCE). In der idealen Betrachtungsweise der Modelle für Bipolartransistoren wird der Early-Effekt häufig vernachlässigt. .. weiterlesen