Optical proximity correction DE


Autor/Urheber:
Attribution:
Das Bild ist mit 'Attribution Required' markiert, aber es wurden keine Informationen über die Attribution bereitgestellt. Vermutlich wurde bei Verwendung des MediaWiki-Templates für die CC-BY Lizenzen der Parameter für die Attribution weggelassen. Autoren und Urheber finden für die korrekte Verwendung der Templates hier ein Beispiel.
Größe:
500 x 450 Pixel (8764 Bytes)
Beschreibung:
Links: Kantenverundung und Linienverkürzung durch den "optical proximity effect" bei der photolithographischen Abbildung Rechts: Einfach "optical proximity correction" (OPC) der Fotomaske und deren Auswirkungen auf die Abbildung
Lizenz:
Bild teilen:
Facebook   Twitter   Pinterest   WhatsApp   Telegram   E-Mail
Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Fri, 06 May 2022 16:06:32 GMT

Relevante Bilder


Relevante Artikel

Optical proximity correction

Optical proximity correction ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei fotolithografischen Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren, welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen. .. weiterlesen