Ohmic contact - n-doped semiconductor DE

Autor/Urheber:

Cepheiden

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Shortlink:

https://dewiki.de/b/fd004

Quelle:

Wikimedia Commons

Größe:

650 x 400 Pixel (28521 Bytes)

Beschreibung:

Idealisiertes Energiebanddiagramm für einen ohmschen Kontakt zwischen einem Metall und einem hoch n-dotierten Halbleiter (links) vor dem Kontakt und (rechts) nach dem Kontakt in thermischen Gleichgewicht für den Fall Φ_m < Φ_s.

• ${\displaystyle E_{\mathrm {Vak} }}$ … Energie des Vakuumpotentials
• ${\displaystyle E_{\mathrm {C} }}$ … Energie der Leitungsbandkante
• ${\displaystyle E_{\mathrm {V} }}$ … Energie der Valenzbandkante
• ${\displaystyle E_{\mathrm {F} }}$ … Fermi-Energie
• ${\displaystyle E_{\mathrm {g} }}$ … Bandabstandsenergie
• ${\displaystyle \Phi _{m}}$ … Potential der Austrittsarbeit des Metalls
• ${\displaystyle \Phi _{s}}$ … Potential der Austrittsarbeit des Halbleiters
• ${\displaystyle \Phi _{\mathrm {Bn} }}$ … Barrierepotential im Halbleiters
• ${\displaystyle \mathrm {X} _{s}}$ … Elektronenaffinität des Halbleiters
• ${\displaystyle e}$ … Elementarladung

Lizenz:

CC BY-SA 3.0

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