LOCOS white ribbon effect DE
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392 x 327 Pixel (25374 Bytes)
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Schematische Beschreibung des White-Ribbon-Effekts während dem Standard-LOCOS-Prozess als Technologieschnitt.
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LOCOS-ProzessLOCOS, kurz für englisch local oxidation of silicon, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren. Dafür wird der Silicium-Wafer an ausgewählten Stellen maskiert, das heißt mit einer strukturierten Schutzschicht versehen, und das freigelegte Silicium anschließend örtlich begrenzt oberflächennah bei hohen Temperaturen einer sauerstoffreichen Atmosphäre oxidiert, vgl. thermische Oxidation von Silicium. Auf diese Weise entsteht an der Substratoberfläche zwischen den elektrisch aktiven Siliciumgebieten für die Bauelemente ein elektrischer Isolationsbereich aus Siliciumdioxid. .. weiterlesen