Portal:Mikroelektronik
![]() Dieses Portal soll einen Einstieg zu den Themen über Entwurf, Fertigung und Anwendung von Halbleitermaterialien vor allem im Bereich mikroelektronischer und nanoelektronischer Schaltungen und Mikrosystemem geben. Das Portal ist auch Anlaufstelle für Artikelarbeiten im Bereich Mikro-, Halbleiter- und Optoelektronik sowie die entsprechender Herstellungsverfahren der Halbleitertechnik in der Wikipedia. Eine Seite zur Mitarbeit findet sich hier. Willst Du einzelne Teile des Portals bearbeiten, so kannst Du das über die Schalttafel tun. Unter einem Halbleiter versteht man einen Festkörper, dessen elektrische Leitfähigkeit stark temperaturabhängig ist und der von daher je nach Temperatur sowohl als Leiter als auch als Nichtleiter betrachtet werden kann. Die Leitfähigkeit eines Halbleiters nimmt mit steigender Temperatur zu, womit diese auch als Heißleiter bezeichnet werden. Die Leitfähigkeit lässt sich ferner durch das Einbringen von Fremdatomen aus einer anderen Hauptgruppe, das sogenannte Dotieren, in weiten Grenzen steuern. Bedeutung für die Mikroelektronik erlangen Halbleiter aber insbesondere dadurch, dass ihre Leitfähigkeit auch durch Anlegen einer Steuerspannung oder eines Steuerstroms (wie z. B. beim Transistor) verändert werden kann. ![]() Theorie
Material
Halbleitertechnik
Entwicklung
Geschichte und Personen
Industrie
Sonstige
![]() Grundlegende (c) Cepheiden, CC-BY-SA-3.0
Halbleiterspeicher
Prozessoren Sonstige ![]() Nanotechnologie
Weitere | ![]() ![]()
(zurzeit keine)
(zurzeit keine)
(zurzeit keine)
![]()
![]() ▼ Halbleiterelektronik ▼ Halbleiterbauelement ► Diode ► Integrierter Schaltkreis ► Solarzellentyp ► Transistor ▼ Mikroelektronik ► Integrierter Schaltkreis ► Anlagenbauunternehmen für die Halbleiterindustrie ► Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik ► Entwurf Integrierter Schaltungen ► Halbleiterhersteller ► Halbleiterspeichertechnik ► Halbleitertechnik ► Mikroprozessortechnik ▼ Optoelektronik ► Leuchtdiode ► Solarzellentyp ▼ Photovoltaik ► Photovoltaikanlage ► Photovoltaikhersteller ► Solarfahrzeug ► Solarzellentyp ► Unternehmen im Photovoltaik Global 30 Index ► Transistormodellierung Keine Unterkategorien ▼ Werkstoff der Halbleiterelektronik ► Halbleiter ► Mikrosystemtechnik ► Digitaltechnik |
![]() |
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c9/Portal.svg/14px-Portal.svg.png)
Qualitätsprädikat:
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/a5/Qsicon_informativ.svg/12px-Qsicon_informativ.svg.png)
Auf dieser Seite verwendete Medien
Autor/Urheber:
- Panasonic_8_inch_wafer_surface_1.JPG: BrokenSphere
- PPC-ECM.jpg: GMPX
- Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll_2.jpg: Saperaud
- Bug_1c.jpg: Sandia National Laboratories
- derivative work: Cepheiden (talk)
Banner für das Portal:Mikroelektronik in der deutschsprachigen Wikipedia
Autor/Urheber: Autor/-in unbekannt , Lizenz: CC BY-SA 3.0
First few hydrogen atom orbitals; cross section showing color-coded probability density for different n=1,2,3 and l="s","p","d"; note: m=0
The picture shows the first few hydrogen atom orbitals (energy eigenfunctions). These are cross-sections of the probability density that are color-coded (black=zero density, white=highest density). The angular momentum quantum number l is denoted in each column, using the usual spectroscopic letter code ("s" means l=0; "p": l=1; "d": l=2). The main quantum number n (=1,2,3,...) is marked to the right of each row. For all pictures the magnetic quantum number m has been set to 0, and the cross-sectional plane is the x-z plane (z is the vertical axis). The probability density in three-dimensional space is obtained by rotating the one shown here around the z-axis.
Note the striking similarity of this picture to the diagrams of the normal modes of displacement of a soap film membrane oscillating on a disk bound by a wire frame. See, e.g., Vibrations and Waves, A.P. French, M.I.T. Introductory Physics Series, 1971, ISBN 0393099369, page 186, Fig. 6-13. See also Normal vibration modes of a circular membrane.(c) Cepheiden, CC BY-SA 3.0
Beispielhafter schematischer Aufbau eines CMOS-Chips, wie er Anfang der 2000er verwendet wird. Dargestellt werden LDD-MISFETs auf einem SOI-Siliciumsubstrat, fünf Metallisierungsebenen und ein Lotkontakt für die Flip-Chip-Kontaktierung. Außerdem sind die Arbeitsabschnitte FEOL (front-end of line), BEOL (back-end of line) sowie das Teile vom back-end bzw. packaging gekennzeichnet.
Gleichstrom-Plasma (violett) verbessert in dieser Labormaßstab-PECVD-Apparatur das Wachstum von Kohlenstoffnanoröhrchen.
Autor/Urheber: Chuck Painter / Stanford News Service, Lizenz: CC BY 3.0
William Shockley, Nobel Prize in physics