Liste elektrischer Bauelemente

Dieser Artikel listet elektrische bzw. elektronische Bauelemente auf (auch Bauteile genannt), die man für Schaltungen in der Elektrotechnik bzw. Elektronik benötigt.

Verschiedene elektronische Bauelemente

Grundbausteine

Elektrische Leitungen

Elektromechanische Bauelemente

Bauelemente zum Trennen und Verbinden von Leitungen

  • Einphasen-Haushaltsstecksysteme
  • Ein- und Mehrphasen-Niederspannungssysteme
  • Kleinspannungsstecker
  • Labor-Steckverbinder
  • Audio-Steckverbinder
  • Videosignal-Steckverbinder
  • Hochfrequenz-Steckverbinder
  • Daten-Steckverbinder
  • Telefon-Steckverbinder
  • LWL-Steckverbinder

Bauelemente für die Stromversorgung

Bauelemente für die Frequenzerzeugung

MEMS-Bauelemente

Passive Bauelemente

Energiequellen im engeren Sinn

Aktive Bauelemente

Röhren

Diskrete Halbleiter und Leistungshalbleiter

  • Dioden (außer Optoelektronik)
  • Transistoren
    • Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
      • Bipolare Transistoren
        • Bipolartransistor (engl. bipolar junction transistor, BJT)
          • Spitzentransistor (engl. point-contact transistor)
          • Darlington-Transistor (engl. Darlington transistor bzw. Darlington amplifier)
          • gezogener Transistor (auch „Wachstumstransistor“, engl. grown-junction transistor)[1]
          • Legierungstransistor (engl. alloy junction transistor)
            • Mikrolegierungstransistor (engl. micro-alloy transistor, MAT)
            • Drifttransistor (engl. drift transistor), auch: (drift-field transistor, DFT) oder (graded-base transistor)
          • Oberflächensperrschichttransistor (engl. surface barrier transistor)
            • MAD-Transistor (engl. micro-alloy diffused transistor, MADT)
          • Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET****** PAD-Transistor (engl. post-alloy diffused transistor, PADT)
          • Schottky-Transistor (engl. schottky transistor)
          • „Transistor mit diffundierter Basis“ (engl. diffused base transistor)
          • Bipolarer Leistungstransistor (engl. bipolar power transistor)
        • heterojunction bipolar transistor (HBT bzw. HBJT)
        • double-heterojunction bipolar transistor (DHBT)
        • tunneling-emitter bipolar transistor
        • Lawinentransistor (engl. avalanche transistor), eigentlich (engl. avalanche bipolar transistor) (ABT)
          • V-groove insulated-gate avalanche transistor (VIGAT)
      • tunneling hot-electron-transfer amplifier (THETA)
        • metal-base transistor
          • metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) transistor
            • metal-oxide metal-oxide-metal (MOMOM) transistor
          • metal-insulator-metal-semiconductor (MIMS) transistor
            • metal-oxide-metal-semiconductor (MOMS) transistor
          • semiconductor-metal-semiconductor transistor (SMST) transistor
          • metal-insulator-p-n (MIp-n) transistor
            • metal-oxide-p-n (Mop-n) transistor
        • hot-electron-transistor (THETA)
      • planar-doped-barrier transistor
        • camel transistor
        • field-effect hot-electron transistor
      • real-space-transfer transistor (RSTT),
        • negative-resistance field-effect transistor (NERFET),
        • charge-injection transistor (CHINT)
      • bipolar inversion-channel field-effect transistor (BICFET).
        • bulk-barrier transistor, bulk unipolar transistor
      • heterojunction hot-electron transistor
      • induced-base transistor
      • resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET)
      • quantum-well-base resonant-tunneling transistor (QWBRTT)
      • Multiemitter-Transistor
      • Spacistor
      • tunnel-emitter transistor (TETRAN)
      • inversion-base bipolar transistor
        • surface-oxide transistor
      • resonant-tunneling bipolar transistor (RTBTIRBT)
    • Feldeffekttransistor (engl. field-effect transistor, FET): Transistoren, die auf einem Feldeffekt basieren
      • Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl. non insulated gate field-effect transistor, NIGFET)
      • Isolierschicht-Feldeffekttransistor (engl. insulated gate field-effect transistor, IGFET)
      • modulation-doped field-effect transistor (MODFET),
        auch bekannt als: high-electron-mobility transistor (HEMT), two-dimensional electron-gas field-effect transistor(TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) oder heterojunction field-effect transistor (HFET)
        • inverted heterojunction field-effect transistor (inverted MODFET)
        • planar-doped (delta-doped, pulse-doped) heterojunction field-effect transistor
        • single-quantum-well heterojunction field-effect transistor, double-heterojunction field-effect transistor (DHFET)
        • superlattice heterojunction field-effect transistor
        • pseudomorphic heterojunction field-effect transistor (PMHFET)
        • heterojunction insulated-gate field-effect transistor (HIGFET)
        • semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor (SISFET)
        • doped-channel heterojunction field-effect transistor
      • permeable-base transistor (PBT)
      • static-induction transistor (SIT)
        • analog transistor (konzentrisch aufgebauter Transistor mit Eigenschaften ähnlich einer Elektronenröhre, siehe auch Spacitor)
        • multi-channel field-effect transistor (McFET)
        • gridistor [4]
        • bipolar-mode static-induction transistor (BSIT)
        • depleted-base transistor (DBT)
      • lateral resonant-tunneling field-effect transistor (LRTFET)[5]
      • Stark-effect transistor
      • velocity-modulation transistor (VMT).
    • Weitere Transistortypen:
  • Vierschicht-Bauelemente
  • Diac
  • Triac
  • Halbleiter mit speziellen Eigenschaften

Integrierte Schaltkreise (ICs)

Optoelektronische Bauelemente

Aktoren

Sensoren

(außer Photohalbleiter)

Module, Systeme

Siehe auch

Weblinks

Einzelnachweise

  1. ↑ Peter A. Schmitt (Hrsg.): Langenscheidts Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Englisch – Deutsch. 2., bearbeitete Auflage. Langenscheidt Fachverlag, Berlin [u. a.] 2004, ISBN 3-86117-227-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  2. ↑ Erdmann F. Schubert, Albrecht Fischer, Klaus Ploog: The delta-doped field-effect transistor (δFET). In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632, doi:10.1109/T-ED.1986.22543.
  3. ↑ Kwok K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766, doi:10.1109/16.536822.
  4. ↑ Stanislas Teszner, R. Gicquel: Gridistor – A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. Bd. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502–1513, doi:10.1109/PROC.1964.3439.
  5. ↑ Stephen Y. Chou, James S. Harris Jr., R. Fabian W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. Bd. 52, Nr. 23, 1988, S. 1982–1984, doi:10.1063/1.99656.

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