DOVETT-Diode

Die DOVETT-Diode (englisch double velocity transit-time diode) ist ein Hochfrequenz-Halbleiter-Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Ein verwandtes Bauteil ist die BARITT-Diode. Der einzige Unterschied besteht darin, dass die Geschwindigkeit der Ladungsträger nahe dem Injektionskontakt signifikant kleiner ist als am Kollektorkontakt.

Literatur

• M. S. Tyagi: Introduction to Semiconductor Materials and Devices. John Wiley & Sons, 1991, ISBN 0-471-60560-3, S. 327.
• S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devices. 2. Auflage. John Wiley & Sons, 1981, ISBN 0-471-05661-8, S. 625–627.