Borphosphid

Kristallstruktur
_ B3+ 0 _ P3−
Kristallsystem	Zinkblende
Raumgruppe	F43m (Nr. 216)Vorlage:Raumgruppe/216[1]
Allgemeines
Name	Borphosphid
Verhältnisformel	BP
Kurzbeschreibung	farblose oder je nach Dotierung orangerote bis rotbraune Kristalle[2]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 20205-91-8 EG-Nummer 243-593-3 ECHA-InfoCard 100.039.616 PubChem 88409 Wikidata Q2982798
Eigenschaften
Molare Masse	41,78 g·mol−1
Aggregatzustand	fest[1]
Schmelzpunkt	1227 °C (Zersetzung)[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung keine Einstufung verfügbar[3]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Borphosphid (BP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter in Zinkblende-Struktur bestehend aus den beiden Elementen Bor und Phosphor und wurde 1891 synthetisiert.^[4][5]

Borphosphid kann aus den Elementen bei Drücken und Temperaturen über 20 kbar und 1200 °C synthetisiert werden. Kristalle von Borphosphid können weiterhin unter Verwendung von Mischungen von Bor, Phosphor und Bortrioxid, Bor und Borphosphat und Bor und Phosphorpentoxid synthetisiert werden.^[6]

Das Halbleitermaterial weist einem Bandabstand von 2,1 eV bei 300 K auf.^[7] Hochreines Borphosphid ist optisch transparent. n-dotiertes Borphosphid weist eine orange-rote Farbe auf, p-dotiertes Borphosphid ist dunkelrotbraun.^[2]

Borphosphid wird unter anderem als Werkstoff in speziellen Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt.^[8]

1. ↑ ^{a b c} Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3-642-58842-5, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
2. ↑ ^{a b} L.I. Berger: Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, ISBN 978-0-8493-8912-2, S. 116 (englisch). 
3. ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
4. ↑ P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957, S. 1075–1075, doi:10.1038/1791075a0.
5. ↑ H. Moissan: Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore. In: Comptes Rendus. 113. Jahrgang, 1891, S. 726–729 (französisch, bnf.fr). 
6. ↑ K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.
7. ↑ O. Madelung: Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser, 2004, ISBN 978-3-540-40488-0, S. 84–86 (englisch). 
8. ↑ Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.‌