Scheme of n-metal oxide semiconductor field-effect transistor with channel de

Autor/Urheber:

Arne Nordmann (norro}

Attribution:

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Shortlink:

https://dewiki.de/b/58898

Quelle:

Wikimedia Commons

Größe:

625 x 400 Pixel (28025 Bytes)

Beschreibung:

Eingefärbtes Schema eines n-Kanal w:de:MOSFET. Die Anschlüsse sind:

• S: Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“)
• G: Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“)
• D: Drain (engl. für „Abfluss“)
• B: Bulk/Substrat

Mit steigender Spannung zwischen Gate und Bulk bzw. Substrat (hier rot dargestellt) werden dabei zuerst die Majoritätsladungsträger verdrängt und es bildet sich durch Ladungsträger-Verarmung ein nichtleitendes Gebiet. Steigt die Spannung weiter, kommt es zur Inversion, das p-dotierte Substrat wird unterhalb des Gates n-leitend und bildet einen leitenden Kanal zwischen Source und Drain.

('+' bedeutet in dieser Abbildung starke Dotierung.)

Lizenz:

CC BY-SA 2.5

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Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Fri, 01 Sep 2023 05:41:15 GMT

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