MOSFET transistors


Autor/Urheber:
Attribution:
Das Bild ist mit 'Attribution Required' markiert, aber es wurden keine Informationen über die Attribution bereitgestellt. Vermutlich wurde bei Verwendung des MediaWiki-Templates für die CC-BY Lizenzen der Parameter für die Attribution weggelassen. Autoren und Urheber finden für die korrekte Verwendung der Templates hier ein Beispiel.
Größe:
5926 x 4142 Pixel (9478509 Bytes)
Beschreibung:
Some examples of MOSFET transistors in various types of packaging:

IXYS IXFN27N80 N-Channel 800 V, 27 A, 520 W, SOT-227B

IXYS IXFK44N80P N-Channel 800 V, 44 A, 1040 W, Through Hole, TO-264AA

Infineon Technologies IPB60R125CP MOSFET N-CH 600 V, 25 A, 208 W , 0125 Ω, 53nC TO-263

Harris IRF530 N-MOSFET; 400 V; 14 A; 150 W; TO-3

Signetics SD211 N-channel Enhancement-Mode Lateral D-MOS FET, 30 V/45 ohms, TO-72

International Rectifier IRFP2907 N-MOSFET 75 V, 209 A, 470 W, TO-247

Infineon Technologies SPP06N80C3 N-MOSFET 800 V; 6 A; 83 W; TO-220

STMicroelectronics P5NK100Z N-channel 1000 V, 2. 7 Ω, 3. 5 A, TO-220

International Rectifier IRLS3034PBF 40 V,195 A, 375 W, D2PAK

International Rectifier IRFL024ZPBF N-channel, 55 V, 5.1 A, 8 W, SOT-223

International Rectifier AUIRFS8409-7P N-MOSFET; 40 V; 240 A; 375 W; D2PAK

STMicroelectronics D12NF06L N-channel 60 V - 0.08 Ω – 12 A - DPAK – IPAK

International Rectifier IRF8513 Dual N-Channel 30 V, 15.5 mOhm, 5.7 Nc, HEXFET® SOIC-8.

Texas Instruments CSD17308Q3 N-MOSFET; 30 V; 47 A; 375 W; 8SON

Vishay Siliconix Mosfet Array N and P-Channel 12 V, 7.6 A, 5.7 A, 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8

International Rectifier IRLM6244 20 V, 6.3 A, 1.3 W SOT-23

Fairchild Semiconductor Corporation FQB27P06 P-Channel QFET® MOSFET -60 V, -27 A, 70 mΩ TO-220
Lizenz:
Bild teilen:
Facebook   Twitter   Pinterest   WhatsApp   Telegram   E-Mail
Weitere Informationen zur Lizenz des Bildes finden Sie hier. Letzte Aktualisierung: Wed, 15 Nov 2023 12:32:32 GMT

Relevante Bilder


Relevante Artikel

Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ist eine Bauform eines Transistors, d. h. eine Art elektronisches Ventil. In der Familie der Feldeffekttransistoren zeichnen sich MOSFETs durch ein isoliertes Gate aus einem Oxid aus und gehören damit zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET) bzw. Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET). .. weiterlesen