MOSFET transistors
IXYS IXFN27N80 N-Channel 800 V, 27 A, 520 W, SOT-227B
IXYS IXFK44N80P N-Channel 800 V, 44 A, 1040 W, Through Hole, TO-264AA
Infineon Technologies IPB60R125CP MOSFET N-CH 600 V, 25 A, 208 W , 0125 Ω, 53nC TO-263
Harris IRF530 N-MOSFET; 400 V; 14 A; 150 W; TO-3
Signetics SD211 N-channel Enhancement-Mode Lateral D-MOS FET, 30 V/45 ohms, TO-72
International Rectifier IRFP2907 N-MOSFET 75 V, 209 A, 470 W, TO-247
Infineon Technologies SPP06N80C3 N-MOSFET 800 V; 6 A; 83 W; TO-220
STMicroelectronics P5NK100Z N-channel 1000 V, 2. 7 Ω, 3. 5 A, TO-220
International Rectifier IRLS3034PBF 40 V,195 A, 375 W, D2PAK
International Rectifier IRFL024ZPBF N-channel, 55 V, 5.1 A, 8 W, SOT-223
International Rectifier AUIRFS8409-7P N-MOSFET; 40 V; 240 A; 375 W; D2PAK
STMicroelectronics D12NF06L N-channel 60 V - 0.08 Ω – 12 A - DPAK – IPAK
International Rectifier IRF8513 Dual N-Channel 30 V, 15.5 mOhm, 5.7 Nc, HEXFET® SOIC-8.
Texas Instruments CSD17308Q3 N-MOSFET; 30 V; 47 A; 375 W; 8SON
Vishay Siliconix Mosfet Array N and P-Channel 12 V, 7.6 A, 5.7 A, 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8
International Rectifier IRLM6244 20 V, 6.3 A, 1.3 W SOT-23
Fairchild Semiconductor Corporation FQB27P06 P-Channel QFET® MOSFET -60 V, -27 A, 70 mΩ TO-220Relevante Bilder
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Metall-Oxid-Halbleiter-FeldeffekttransistorEin Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ist eine Bauform eines Transistors, d. h. eine Art elektronisches Ventil. In der Familie der Feldeffekttransistoren zeichnen sich MOSFETs durch ein isoliertes Gate aus einem Oxid aus und gehören damit zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET) bzw. Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET). .. weiterlesen